（2）GaAs衬底制造的竞争格局
GaAs晶片分半绝缘和低阻两种。前者主要用于微波器件和集成电路制造，而后者主要用于LED衬底。目前，低阻GaAs衬底的制造依然以日系厂商为主，日立电线、三菱化学和住友电工三家厂商的市占率合计在60%以上。这与日系GaAs晶片厂商在日本、台湾、韩国等地市场的强势地位是有直接关系的。此外，美国厂商AXT凭借着超越同行的VPE拉晶技术，在欧美市场具有强大的竞争实力。
国内老牌GaAs制造商中科镓英、美西半导体和美国厂商微晶联合成立的中科晶电，近两年来在低阻GaAs晶片制造领域取得了巨大的进展。目前这家国内公司凭借着突出的性价比优势，取得了低阻GaAs衬底90%以上的国内市场占有率，基本占据了国内市场。低阻GaAs衬底的国产化完成意味着国内外延片和芯片厂商可以以更低的成本取得衬底，增强了国内红黄光LED整条产业链的竞争优势。
2009年低阻GaAs衬底制造厂商的全球市占率分布（单位：%）
4、SiC衬底市场状况分析
（1）优势明显但并非完美
除了Al2O3衬底外，目前用于GaN生长衬底就是SiC。它有许多突出的优点，如化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光等。由于SiC衬底优异的的导电性能和导热性能，不需要像Al2O3衬底上功率型GaN LED器件采用倒装焊技术解决散热问题，而是采用上下电极结构，可以比较好的解决散热问题。同时，由于电流方向为纵向而非横向，SiC衬底蓝光二极管可以设计面积较大的大功率器件。
虽然SiC确实能够获得比蓝宝石衬底更少的位错界面，从而大幅度的改善性能，但是由于异质结的本质特征所限，其在大电流状态下依然无法躲过droop效应的限制，即发光效率随电流密度增大而快速降低。持续下降的发光效率意味着PN结工作过程中热量散发的强度不断增大，多余的热量加热工作节点，从而降低LED工作寿命。
（2）SiC市场竞争格局状况
在SiC衬底市场方面，美国Cree公司垄断了优质SiC衬底的供应。2007年起，该公司在市场上供应2至3英寸基本上无微管的衬底。2008年其位错为每平方厘米5千个。2009年将提供6英寸基本上无微管的衬底。CREE目前市占率在85%左右，产能已提升至为60万片/年。其次是德国SiCrystal公司和日本新日铁公司。 SiCrystal2008年可提供基本上无微管的3英寸SiC衬底，其位错为每平方厘米2千个；新日铁目前拥有每平方厘米1个微管的3英寸SiC衬底，其位错为每平方厘米5千个至2万个，2009年稍晚些可推出4英寸SiC衬底。日本东纤-道康宁合资公司位于第三梯队。
