OFweek半导体照明网2012年3月5日消息，IMS Research市场分析师Jamie Fox在2012年英国国际LED展览会(EuroLED)上称，适用于一般照明应用的高亮度LED的市场价值可能将在2017年达到最高峰，然后随着技术成本的急剧下降而开始下滑。LED供应商的“黄金时代”将在2013年到2017年。
Fox表示，这段期间，LED市场渗透率有望从当前的几个百分点强劲增长至2014年的10%和2017年的25%。尽管LED的成本在未来五年可能快速下降，但这要到2017年之后才能开始阻碍一般照明应用领域LED芯片市场值的增长。
但是，从2018年之后，市场达到饱和，随着LED价格的下滑以及由于LED技术提供的很长的使用寿命导致灯的替换率下降，一般照明应用领域LED市场开始萎缩。
LED在更广泛的照明应用领域的市场也将迎来显著增长，从当前的850亿美元增至2017年的1,200亿美元。但随着成本的降低和市场逐渐饱和，十年之后，市场规模将缩至1,050亿美元。
成本下降的关键驱动力之一是氮化镓LED芯片生产从蓝宝石或碳化硅衬底向硅衬底的转移，这一新的方式正受到业内许多主要制造商的支持，虽然成功程度不一。
2012年英国国际LED展览会(EuroLED)发言人：LED制造商普瑞光电的Tom van den Bussche、测试专家LUX-TSI的David Hardman、Cree的Derek Tibbitts以及Birmingham Science Park - Aston的David Hardman。
LED芯片制造商普瑞光电(Bridgelux)欧洲营销总监Tom van den Bussche指出，LED芯片生产向硅衬底的转移将使成本削减75%，这是由于硅价的下降，也是由于采用更大尺寸（8英寸）的平台可以利用那些已经转移到12英寸硅片生产的废弃晶圆厂。
Van den Bussche继续补充道，普瑞光电将在今年年底前开始生产硅衬底氮化镓LED。
普瑞光电近期展示了冷白光色温4700K时光效为160流明/瓦及暖白光色温3000K时光效为125流明/瓦的硅衬底LED，这样的性能已经能够与当今最先进的器件相匹敌。现在的一个关键问题是普瑞光电能否在量产中实现同样的性能。
如果可以，那么以硅为基础的制造方法应该能使成本大幅降低，因为目前的方法主要限于4英寸晶圆，需要大量低效耗时的生产阶段，比如将GaN薄膜从蓝宝石衬底上移开的激光剥离步骤。
一些硅衬底氮化镓方法持有怀疑的人则认为，在高温MOCVD沉积过程中，由于两个晶体之间固有的晶格不匹配特性，需要生产一个复杂的缓冲层来消除晶格不匹配引起的应力，这是该方法的一个关键缺陷。他们认为，如果蓝宝石衬底的缩放困难得以解决，目前的过剩产能被吸收，那么蓝宝石材料仍然是首选。当前，产能过剩阻碍了业内一些领先的制造商向6英寸蓝宝石和碳化硅LED晶圆制造的转移。
不过其它因素也发挥了作用。Fox说，尽管目前行业的总产能利用水平仍然较低，近年来供应给中国LED厂商的大量MOCVD反应器正在生产中。
LED制造重心的转移将继续促使成本进一步下降，不过领先的制造商确实在这方面保持了显著了性能优势。
