日本上市公司萨姆肯（Samco）发布了新型晶片盒生产蚀刻系统 ，处理SiC加工，型号为RIE-600iPC。
系统主要应用在碳化硅功率仪器平面加工、SiC MOS结构槽刻蚀形成晶圆刻蚀SiC和SiO2掩膜刻蚀。
新系统是以用来研发和半生产的RIE-600iP平台为基础的，该平台技术已被证明。
碳化硅是耐压的宽能隙半导体，能在高温下顺利运作，加工面对的挑战有侧壁平滑保护、高刻蚀率条件下的刻蚀剖面，同时要维持足够高的刻蚀掩面选择性。
RIE-600iPC 生产刻蚀系统
RIE-600iPC系统在高真空条件下采用大功率高密度射频电浆（高达3kW）Tornado ICP线圈专利技术。可调节高度下电极和高容量真空泵（1，300公升/秒）使得碳化硅刻蚀加工快速、具有良好的均匀性，并且新型系统为客户提供宽敞的加工窗口。
系统的真空盒室舱同时支持25个6英寸晶圆，经由转换室/加载互锁真空室自动传递晶圆到处理室。真空盒室舱提供更高的加工和生产效率。
萨姆肯公司在碳化硅和相关物质国际会议上介绍了RIE-600iPC新型系统，这个会议在日本宫崎市凤凰喜凯亚度假村举行。
萨姆肯公司是一家为半导体产业提供刻蚀、CVD和清洗系统的供应商，已经着眼于成为下一代功率设备处理仪器的领先供应商。
