在经历近十年的发展后，Glo的纳米线LED定于明年年初进军市场。尽管Glo生产的纳米线LED已进入市场很长一段时间，但明年年初将可买到高亮度的纳米线LED。在经历近十年的研究后开发后，位于瑞典的隆德大学子机构Glo于2005年成立，而Glo的3D LED似乎已准备好挑战现有的平面LED。
“客户手头已经有我们的产品，而我们期望在接下来几个季度正式启动”，美国Glo的首席技术官Nathan Gardner说道。“我们期望可提供比平面设备更好的绿色LED以及性能更高的蓝色LED。接下来将是红色的纳米设备。因此，我们将完全依赖氮化半导体系统建立RGB方案。”
但是为什么会关注到纳米线呢？相较传统的平面LED的异质结构，这些垂直的3D结构具有若干优胜之处。首先，在基片上安装垂直的纳米线可避免晶片压力的累积（这种情通常在放置平面层时出现）。各种材料的膨胀系数之间的差异会导致装配时晶格的不匹配，而有缺陷的晶片会降低设备的产能及性能。
更重要的是，由于有较大的面积体积比率，垂直结构可增加光线的输出效率，并可与低成本大面积的硅衬底兼容。
正如Gardner所解释，Glo的LED产品包括透过MOCVD在GaN（氮化鎵）／宝蓝石模板上安装的选择区域增长膜上垂直排列的GaN纳米线列。透过光刻及干蚀方法印在膜上的小孔可带动纳米线的生长。
二极管的实际结构包括M面sidewalls 的N型GaN纳米电缆基InGaN活动区域。该活动区域下依次为p类AlGaN层、p类GaN层及重参杂p型GaN接触层。
“TEM分析显示n型GaN模板存在的错位现象很少会传导到纳米线上”，他说道。“[因此]该活动区域是安置在无缺陷的m面模板上。”
