另一方面，随着国家禁止白炽灯销售、LED照明产品财政补贴等支持应用端的政策密集出台，以及照明终端产品价格的大幅下降，LED通用照明市场渗透率也有较快提升。这种变化在商业照明领域尤为突出，由于商业照明除照明需求外，更注重气氛的营造，而且对价格不敏感，同时用电时间长，投资回收期短，具有良好的经济性，因而成为目前国内LED照明渗透率增长最快的细分市场。LED在汽车车灯和室内外装饰方面的应用逐步启动；交通灯市场随着大规模替换传统照明的结束将趋于稳定增长；景观照明市场增速有所放缓。
国内LED上下游产业链结构
在产业链方面，LED产业上游包括原材料和衬底、材料外延等环节，中游包括芯片制作、芯片切割、测试等环节，下游包括封装、应用等环节。目前我国LED产业集中在产业链下游，企业规模小，研发能力不强，企业众多，与国外技术水平差距较小，难以形成独特竞争力。
国际市场产业链中，由于位于产业链中、上游的芯片制作及晶圆材料的制作由于技术难度较高，外加西方对中国的技术封锁，该领域的为美国、欧洲（主要是德国）及日本的企业所垄断，有少数台湾企业具备这个领域的核心技术，有竞争力的本土企业较少，特别是在大功率LED方面，几乎没有本土企业。
在产业技术方面由于我国起步比较晚，产业技术比较落后。虽然相关资料显示我国LED的照明相关申请专利以排世界第二，大多都是在产业链下游的一些技术，不足以支撑大局。因为在LED生产的环节中，LED的外延片的生长，和芯片的制作才是至关重要的一步，它决定了整个LED产业水平。然而在外延片生长技术的人才全世界都十分缺乏，其关键技术主要被日本的日亚化学和丰田合成、美国的科锐(CREE)以及欧洲的飞利浦Lumileds照明和欧司朗五大厂商垄断。因此要想突破LED产业发展的瓶颈，国家也推出的"863"计划以及信息产业发展基金及时支持了国家外延设备，如外延炉和MOCVD设备的研发，以及相关的专业技术人才的培养。其次，在芯片的研制方面，我国目前已经研发了1W的功力LED芯片，其发光效率为301m-401m，最高可达47.51m/W，单个期间发射功率为150mW，最高可达189mW。南昌大学近年来开展在硅衬底上生长GaN外延材料研究，已研发的蓝光芯片发射功率达7mW～8mW，最好为9mW～10mW，芯片成品率为80%，功率LED芯片在350mA下发射功率为100mW～150mW，最好可达150mW。在500mA、1000小时通电试验下，蓝光的光衰小于5%。
我国LED封装企业总体上以民营企业为主，从业人员年轻化，文化程度参差不齐，企业增长较快，对外来产品、技术的模仿能力极强。企业注重短期效益，忽视品牌建设，缺乏长期的战略规划。位于下游的LED封装企业，60％分布在中国大陆地区，且有不断上市的趋势， 所以，中国大陆地区是名符其实的世界LED封装基地。
