晶能光电
在半导体照明领域有3条LED技术路线，分别是以日本日亚化学为代表的蓝宝石衬底LED技术路线、以美国cree为代表的碳化硅衬底LED技术路线和以中国晶能光电为代表的硅衬底LED技术路线。而硅衬底技术项目的获得国家技术发明奖，说明硅衬底已被国家证实可行，并已提升到国家战略层面。硅衬底或将迎来规模化的商业应用。晶能光电主要生产可广泛用于通用照明、显示屏、LCD背光和工业领域的LED芯片产品，尤其是硅衬底GaN外延生长和芯片加工技术独步全球，公司不仅拥有全部知识产权，而且是全球第一家量产高功率、高性能硅衬底LED芯片的企业。
与其他LED芯片企业扩产不同的是，晶能光电积极投身硅衬底LED外延芯片的研发。晶能光电围绕硅衬底技术，从外延、芯片到封装的核心技术领域，多年来一直展开国际和国内专利布局。据统计，硅衬底项目已申请专利330多项，其中授权国际专利47项。晶能光电在硅衬底领域处于绝对领先地位，公司多年以来一直坚持围绕这硅衬底LED技术路线开展研发工作及突破，并成功实现量产。由此，我们可以清晰地看出晶能光电的战略路线：争夺中国LED芯片市场的第三极。
