3．3粉胶相容度对WLED光输出冷热比的影响
荧光粉合成以后为了提高产品的稳定性能，通常会采用一定的后处理工艺，例如二次淬火处理、包覆工艺等，使用较多的为包覆工艺，使用的包材为SiO2等材料，但即便采用这样的工艺，往往其热稳定性能特别是反映在WLED光输出冷热比中还是会差强人意。一般当荧光粉在封装过程中与封装胶混合时，可能会在颗粒表面与胶体的接触面上存在一定的空隙，里面可能含有未排出去的空气，致使成品在受热时，热稳定性能存在影响，为了解决此问题。有相关厂家提出了一种全新的后处理工艺，通过一定的包覆手段在荧光粉颗粒表面包含一层特殊的物质，经过特殊处理后的荧光粉放入水中会迅速凝聚成一个大的颗粒，从而防止水分进入，经过此工艺处理的颗粒，在与封装胶体结合时，封装胶体会紧密的包裹在颗粒的表面上，不存在有空隙的问题，增大粉胶相容度，理论上来说，可以提升WLED光输出冷热比［6］。
图1．8 RF－G和CRF－G的热淬灭性能
Fig．1．8 The heat quenching properties of RF－G and CRF－G
本文采用2835的封装形式，目标参数为Ra＝80－82，CCT＝3000K，采用相同的封装方案，验证改善粉胶相容度与未改善粉胶相容度的荧光粉对WLED光输出冷热比的影响，前述两者分别表示为CRF－G和RF－G。图1．8表示RF－G和CRF－G的热淬灭性能，可以看出随着温度的升高荧光粉的发光亮度呈现出不断降低的趋势，其中CRF－G的递减幅度比RF－G要小，说明就荧光粉本身而言，CRF－G的热稳定性要优于RF－G。
图1．9 RF－G和CRF－G的WLED光输出冷热比关系
Fig．1．7 specific value of photoelectric parameterson ordinary and high temperature of light output with WLED of RF－G and CRF－G
本文就粉胶相容度对WLED光输出冷热比的影响，采用2835的封装形式，目标参数为Ra＝80－82，CCT＝3000K，采用相同的封装方案，验证改善粉胶相容度的粉体对WLED光输出冷热比的影响，图1．9表示改善的粉胶相容度的CRF－G和未改善粉胶相容度RF－G的WLED光输出冷热比的关系，随着温度的升高成品灯珠光通量的WLED光输出冷热比在不断较小，CRF－G和RF－G在成品中的衰减幅度RF－G最大，CRF－G次之，说明CRF－G的WLED光输出冷热比较好，RF－G的WLED光输出冷热比较差，因此粉胶相容度对WLED光输出冷热比存在影响，经过改善粉胶相容度的荧光粉相比未改善粉胶相容度的荧光粉在WLED光输出冷热比要好。
3．4荧光粉形貌对WLED光输出冷热比的影响
荧光粉的颗粒形貌的完整度、光滑度对其稳定性存在一定的影响。在高温固相法的合成工艺中，固态粉体在高温高压气体保护的环境下，会发生相变，由固相转为固溶态从而发生固相反应，最终在最佳的合成温度和最佳的合成时间的条件下，形成新的固相结晶体，此物相要经过破碎工艺，形成一定颗粒大小的荧光粉，破碎工艺一般在球磨机中进行，延长破碎时间和增大球磨转速致使最小颗粒表面产生破碎痕迹、粘上一定的破碎屑或是颗粒直接被劈成片状，使得粉体颗粒形貌完整度、光滑度不一。通过非正常球磨破碎工艺，使荧光粉的颗粒形貌为不规则或颗粒表面有裂痕，如图2．0所示左图为经过强烈球磨破碎的荧光粉颗粒形貌，右图为正常破碎工艺的荧光粉的颗粒形貌，通过前述分析，可以推断强烈破碎相比正常破碎的颗粒的热稳定性要好。
图2．0左图和右图分别为GRF－N和GRF－V的SEM形貌
Fig．2．0 The SEM morphology of GRF－N （left） and GRF－V （right）
