全球领先的日本UV LED制造商Nitride Semiconductors将于11月1日公布成立全资子公司Micro Nitride Co., Ltd. 该公司将专注用于Micro LED显示屏的Micro UV LED芯片的开发、生产和销售。
近年来，以OLED为代表的自发光显示器已经被广泛用于智能手机等设备，但由于其寿命短和耐热性等缺陷，行业开始转向Micro LED显示器的开发。
目前有两种实现Micro LED显示屏的方法，3基色LED采用了红光、蓝光及绿光，蓝光LED激发红绿荧光粉和蓝光LED成为两大主流技术。
至于3基色LED，由于其材料易碎，无法生产μ红色芯片，而且难以安装高密度、且具有不同结构和不同颜色的LED芯片。它们的电流和电压、反应速度都不同，因此很难实现对每个芯片的控制。
μBlue LED激发方法可以将所有安装好的LED芯片集成到μ蓝光LED中，因此安装难度会降低，电流和电压也可以得到统一。但蓝光LED是发光产生的，而红光和绿光LED是激发产生的，因此存在反应速度的时间滞后。此外，由于蓝光激发导致红光LED和绿光LED的亮度较低，所以就会出现另外一个问题---颜色再现性较差。
μUV-LED + RGB荧光粉则可以解决上述问题。
Nitride Semiconductors公司发现制造具备P层和N层SLS结构的μUV-LED芯片，发光效率加倍。（专利申请中）
原因在于，由于扩散电流的距离短，发光复合率增加，内部量子效率提高，从发光层到外部的距离变短，从而提高了外部量子效率。
Micro UV-LED晶元
Micro UV-LED芯片
紫外光图像
24微米方形芯片与圆珠笔珠球（500μｍ）的尺寸比较
V-Technology（日本）的RGB元件结构图像
