4月26日，三安光电公告披露，公司与湖北省葛店经济技术开发区管理委员会签订项目投资合同，投资总额120亿元。
据公告显示，为推动公司III－V族化合物半导体项目的研发及产业基地尽快在湖北省葛店经济技术开发区落户，公司与湖北省葛店经济技术开发区管理委员会本着优势互补、互利互惠原则，经友好协商，达成合作合同。
根据合同约定，三安光电将在湖北省葛店经济技术开发区管理委员会辖区内投资兴办III－V族化合物半导体项目，主要生产经营Mini／Micro LED外延与芯片产品及相关应用的研发、生产、销售。并由公司在此辖内注册成立项目公司投资，投资总额120亿元，具体以项目最终可研报告为准。
三安光电表示，公司主要从事Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料的研发与应用，着重于砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及到外延、芯片核心主业，努力打造具有国际竞争力的半导体厂商。
Mini／Micro LED是公司未来重点发展方向之一。本次投资项目符合国家产业政策规划，符合公司产业发展方向和发展战略，有利于改善公司产品结构，提升公司核心竞争力，巩固公司行业地位。
