根据年报，本期研发投入8.06亿元，同比上涨51.45％，其中资本化研发投入高达6.62 亿元，研发投入资本化比重为82.10％。公司近五年来研发投入资本化率均高于70％，显著高于同行业公司，无形资产和开发支出逐年攀升。
关于公司研发投入资本化率较高的原因，三安光电表示，公司主要从事Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料的研发与应用，着重于砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及到外延、芯片为核心主业。产品主要应用于照明、显示、背光、农业、医疗、微波射频、激光通讯、功率器件、光通讯、感应传感等领域。与同行业上市公司相比，公司经营范围最广。相应的，公司也需要深度的研发储备。公司基于化合物半导体，在LED、射频、电力电子、滤波器与光通讯等多个方向进行研发储备。以上导致公司研发投入总额高于同行业上市公司。
三安光电在不断拓展业务的同时也引领国内化合物半导体产业不断升级。截至2018年末公司已累计获取各项专利及专有技术1,700件，多数为发明专利，为公司进一步开拓国际市场奠定了坚实的基础，鉴于此公司研发投入资本化率较高。
2014年至2018年三安光电化合物半导体产品研发综合效益如下：
近5年来，公司化合物半导体产品营业收入实现年复合增长率为12.43％，2018年已达67.33亿元，该研发综合效益规模处于行业领先水平。
针对公司全年的产能情况、产能利用率情况、主机设备平均运转率情况，三安光电按主要控股参股公司列表说明各公司主营产品、成本、产能、产能利用率、MOCVD设备等关键设备数量、毛利、产品单位成本等情况进行回复。
LED业务产能、产能利用率、主机设备平均运转率情况
主要控股参股公司情况
