搭载欧司朗光电半导体元件的虹膜扫描、人脸识别和手静脉识别技术
解锁之钥
未来世界,用于识别您身份的解锁之钥就在您的掌间。个人身份识别正在成为实现多种应用的必备工具,例如手机,许多系统如今依赖生物特征来识别已被授权的用户。
(图片来源:欧司朗,下同)
欧司朗光电半导体的产品确保这些系统达到最高级别的可靠性和安全性,从而全力保障您生活中的重要信息安全无虞。
生物特征识别技术利用人脸特征、虹膜图案或掌静脉等独一无二的人体特征,提供一种安全方便的密码替代,再也无需管理复杂的旧密码。
欧司朗光电半导体针对生物特征识别系统推出了专用红外 LED。这些产品用于照亮目标区域,帮助系统获取高品质图像,并确保识别的可靠性。
虹膜识别
虹膜扫描的误差率很小,是最可靠的生物特征识别方法之一。如今能在手机中采用虹膜扫描,愈加提升了手机的使用安全性。
IR OSLUX SFH 4787S
·尺寸 (mm):3.5 x 3.5 x 1.6
·半角:16°
·倾斜角度:8°
·Le @1 A (mW/Sr):典型值 1270
·Φe @1 A(mW):典型值 680
·最大脉冲电流:2 A
·正向电压 @ 1 A :典型值 3.3 V
·热阻 (K/W):最大值 25
·质心波长:810 nm
IR OSLUX SFH 4780S
·尺寸 (mm):3.5 x 3.5 x 2.4
·半角:10°
·倾斜角度:-
·Le @1 A (mW/Sr):典型值 2900
·Φe @1 A(mW):典型值 typ. 660
·最大脉冲电流:2 A
·正向电压 @ 1 A :典型值 3.3 V
·热阻 (K/W):最大值 25
·质心波长:810 nm
掌静脉识别
掌静脉识别是一项安全度很高的技术,它通过手掌中独特的静脉图案来确认个人身份。欧司朗的红外 LED 光可帮助精确检测和分析这些图案。
IR Power Topled SFH 4250S
·Package: clear epoxy
·Qualifications: The product qualification test plan is based on the guidelines of AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.
·ESD: 2 kV acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 2)
·High Power Infrared LED
·Double stack emitter
·Short switching times
IR Multi Topled SFH 7252
·SMT package with two IR emitter (850 nm & 940 nm)
·Suitable for SMT assembly
·Available on tape and reel
·emitters can be controlled separately
IR SYNIOS P2720 SFH 4770S
·尺寸 (mm):2.8 x 2.0 x 0.6
·半角:60°
·倾斜角度:-
·Le @1 A (mW/Sr):典型值 375 (est.)
·Φe @1 A(mW):典型值 1200 (est.)
·最大脉冲电流:3 A
·正向电压 @ 1 A :典型值 3.3 V
·热阻 (K/W):最大值 9
·质心波长:850 nm
人脸识别
人脸识别系统通过识别脸部特征来识别个人。欧司朗的产品提供明亮均匀的光源,以确保脸部识别的可靠性。
IR OSLUX SFH 4796S
·尺寸 (mm):3.5 x 3.5 x 1.4
·半角:40°
·倾斜角度:-
·Le @1 A (mW/Sr):典型值 550
·Φe @1 A(mW):典型值 800
·最大脉冲电流:3 A
·正向电压 @ 1 A :典型值 3.3. V
·热阻 (K/W):最大值 9
·质心波长:850 nm
OSLON Black 150° SFH 4716AS
·Dimensions (mm): 3.9 x 3.9 x 1.5
·Half-angle: 75°
·Tilt angle: -
·le@1 A (mW/Sr): typ. 275
·Φe@1 A (mW): typ. 1300
·Max. pulse current: 3 A
·Forward voltage @ 1 A: typ. 3.3. V
·Low thermal resistance (K/W): max. 9
·Centroid wavelength: 850 nm
IR SYNIOS P2720 SFH 4770S
·尺寸 (mm):2.8 x 2.0 x 0.6
·半角:60°
·倾斜角度:-
·Le @1 A (mW/Sr):典型值 375 (est.)
·Φe @1 A(mW):典型值 1200 (est.)
·最大脉冲电流:3 A
·正向电压 @ 1 A :典型值 3.3 V
·热阻 (K/W):最大值 9
·质心波长:850 nm