功率放大器PA方面，氮化镓呈现出更高的输出功率和更高的效率。低噪声放大器LNA方面，氮化镓呈现出更低噪声系数，仅弱于InP HEMT、GaAs mHEMT。
GaN 射频器件具有不同衬底，其中Si基GaN具有低衬底成本，Si 衬底8英寸很成熟，利用现有硅代工厂的规模生产优势。Si基GaN主要技术挑战有热阻、射频损耗，应力、位错密度和可靠性，大尺寸材料生长和CMOS兼容工艺制造，
当前，SiC基GaN占主导。随着5G通信对射频元器件的需求增加，需要大批量、低成本的GaN射频芯片，也会需要Si基GaN。
宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心是宽禁带半导体技术国防重点学科实验室、宽禁带半导体国防科技创新团队（首批）、宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室、微电子学与固体电子学国家重点学科、国家“211”工程重点建设学科、国家集成电路人才培养基地、西安航天－西电新型半导体器件研发中心。
报告详细分享了毫米波GaN HEMT关键技术、毫米波GaN HEMT的线性度、8英寸Si基GaN晶圆及工艺技术、GaN－Si CMOS异质集成等的最新研究进展与挑战。
其中，涉及毫米波GaN HEMT关键技术涉及40nm栅长GaN HEMT、CMOS 兼容关键工艺－欧姆接触、离子注入欧姆接触、CMOS兼容工艺制造80nm硅基GaN HEMT、高线性度电路设计技术、高线性度Si基GaN毫米波晶体管、200mm 硅基氮化镓HEMT材料生长、200mm 硅基氮化镓HEMT工艺开发、200mm 硅基氮化镓HEMT功率器件、Si优势－CMOS数字（逻辑）电路、GaN－Si CMOS异质集成技术路线、GaN－Si CMOS集成工艺流程开发、300mm GaN－Si CMOS集成等的最新研究进展。
