单芯突破140 mW | 深紫科技实现UVC大功率芯片技术跨越

深紫科技 中字

据悉,深紫科技研发团队在外延和芯片技术上不断探索,成功实现了UVC大功率芯片技术突破。通过外延底层优化及核心层结构设计、芯片新型p型透明电极及特殊反射电极设计,成功研制出单颗光输出功率140mW以上的大功率芯片。

目前,该款产品已通过多位客户的数轮验证,进入批量供货阶段。

深紫科技该款单芯尺寸为45*45mil,目前芯片已进行多轮可靠性测试。

在注入电流350mA的条件下,单芯光输出功率104.54mW,其工作电压在5.79V;在注入电流500mA的条件下,单芯光输出功率可达143.43mW。

该款产品老化性能也相当优秀,在350mA驱动下,该芯片持续点亮1000小时,光功率维持率仍在90%以上,预估L70寿命可超过10000小时。该产品技术性能的突破,将助力深紫科技在国际市场上名列前茅。

单芯突破140 mW | 深紫科技实现UVC大功率芯片技术跨越

45*45灯珠光电测试结果


单芯突破140 mW | 深紫科技实现UVC大功率芯片技术跨越

封装测试报告


单芯突破140 mW | 深紫科技实现UVC大功率芯片技术跨越

寿命测试数据以及寿命曲线

深紫科技表示,该产品技术性能的突破,不仅可以巩固深紫科技的技术领先地位,更可以满足深紫外LED在公共卫生杀菌领域的功率需求,促进深紫外LED产业的快速发展。

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